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    全球UVC LED芯片市場前10強(qiáng)生產(chǎn)商排名中科潞安排名第八

        
    
        
    
        
    發(fā)布時間：

        
    
        2024-04-12
        

        
    
        
    
        
    作者：

        
    
        
    

        

        
    
        
    
        
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    摘要

        
    紫外LED一般指發(fā)光中心波長在405 nm以下的LED，LED業(yè)界通常將發(fā)光波長位于355～405 nm時稱為近紫外LED，而短于280 nm時稱為深紫外LED。目前在LED的研究和生產(chǎn)中用到最多的材料GaN的禁帶寬度為3.4 eV，對應(yīng)的發(fā)光波長為365 nm，剛好處于近紫外波段范圍，因此，近紫LED中一般采用GaN作為基材。而深紫外LED通過在基材GaN中添加A l 擴(kuò)大帶隙，獲得更短的發(fā)光波長。

        

        

        
    
        
    
        紫外LED一般指發(fā)光中心波長在405 nm以下的LED，LED業(yè)界通常將發(fā)光波長位于355～405 nm時稱為近紫外LED，而短于280 nm時稱為深紫外LED。目前在LED的研究和生產(chǎn)中用到最多的材料GaN的禁帶寬度為3.4 eV，對應(yīng)的發(fā)光波長為365 nm，剛好處于近紫外波段范圍，因此，近紫LED中一般采用GaN作為基材。而深紫外LED通過在基材GaN中添加A l 擴(kuò)大帶隙，獲得更短的發(fā)光波長。
        


        


        UVC-LED 又稱深紫外LED，深紫外光是指波長100 nm到280 nm之間的光波，半導(dǎo)體深紫外光源在照明、殺菌、醫(yī)療、印刷、生化檢測、高密度的信息儲存和保密通訊等領(lǐng)域具有重大應(yīng)用價值。
        


        UVC LED芯片全球市場總體規(guī)模
        


        


        預(yù)計2029年全球UVC LED芯片市場規(guī)模將達(dá)到120.2億美元，未來幾年年復(fù)合增長率CAGR為50.9%。
        


        全球UVC LED芯片市場前19強(qiáng)生產(chǎn)商排名及市場占有率（2021數(shù)據(jù)，持續(xù)更新）
        


        


        全球范圍內(nèi)UVC LED芯片生產(chǎn)商主要包括Crystal IS、Seoul Viosys、Stanley、NIKKISO、LG Innotek、Qingdao Jiesheng Electric Co.、Rayvio、Zhongke Lu'an、Guoxing Optoelectronics、Lite-On Technology Co.等。2021年，全球前五大廠商占有大約27.0%的市場份額。
        


        

        

        

        

        

        

        

        

        

        

        

        

        

         
        

        

        

        

        

        


        

        

         
        

        

        


        

        

        

        

         
        

        

        

        

        

        

        

        

        

        

        

        

        

        

        

        
    
        

        
    
        
    
        
    

        
    
        
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    全球UVC LED芯片市場前10強(qiáng)生產(chǎn)商排名中科潞安排名第八
        

        
    紫外LED一般指發(fā)光中心波長在405 nm以下的LED，LED業(yè)界通常將發(fā)光波長位于355～405 nm時稱為近紫外LED，而短于280 nm時稱為深紫外LED。目前在LED的研究和生產(chǎn)中用到最多的材料GaN的禁帶寬度為3.4 eV，對應(yīng)的發(fā)光波長為365 nm，剛好處于近紫外波段范圍，因此，近紫LED中一般采用GaN作為基材。而深紫外LED通過在基材GaN中添加A l 擴(kuò)大帶隙，獲得更短的發(fā)光波長。

        
    
        
    

        
    
        2023-12-22
        

        
        
        
        

        

        
        
        
    
        
        
    中科潞安劉乃鑫 | 紫外光通信用深紫外LED光源
        

        
    近十年來，隨著紫外固態(tài)器件的外延生長、制備工藝以及封裝技術(shù)的快速發(fā)展，基于日盲區(qū)LED的紫外光通信光源憑借高帶寬、易于攜帶、無毒環(huán)保的優(yōu)點(diǎn)逐步取代了傳統(tǒng)的汞燈、氣體放電燈等光源。Micro-LED是新興的工藝技術(shù)，它可以實(shí)現(xiàn)更大更均勻的注入電流密度，有利于研究大注入狀態(tài)LED物理現(xiàn)象。特別是近幾年，UVC Micro-LED在紫外光通信、顯示等領(lǐng)域中展現(xiàn)出了廣闊的應(yīng)用前景，引起了人們的關(guān)注和研究熱情。

        
    
        
    

        
    
        2023-12-22
        

        
        
        
        

        

        
    
        
    
        
        
            
        
        
    
        

    
    
    
    


        

        

        

        
 
        


            

        

        
  
        
    
            
            

    
        
    
        

        
    
        
    
        
                    
            中科潞安
        

        

        
    
        
    
        
    
        
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